V5R電阻層析成像儀器

產品中心

V5R電阻層析成像儀器

運行
測試主體: ERT-電阻層析成像儀器
點擊數及分布: 32個電極: 每個面 16電極 x 1個測試斷面, 16 x 2 planes, 8 x2 或8x4分布.
傳感測量協議：非導圓形容器圖像重建算法：線性反投影法（LBP）

市場價： 0.00

價格： 0.00

運行
測試主體: ERT-電阻層析成像儀器
點擊數及分布: 32個電極: 每個面 16電極 x 1個測試斷面, 16 x 2 planes, 8 x2 或8x4分布.
傳感測量協議：非導圓形容器圖像重建算法：線性反投影法（LBP）

系統性能
重復性（測量精度％）

Cycle no.	4.7kohm/ 2.2kohm Resistor network (%)	10kohm/ 22kohm Resistor network (%)
1	0.713	0.660
2	0.405	0.425
4	0.248	0.284
5	0.184	0.238

采集速度（基于每個位面16個電極）

Cycle no.	每幀速度（104測量點@mS）	每秒幀數（幀/秒）
1	1.6	625*
2	3.2	312
4	6.4	156
5	8	125*

*幀采集速度：
a）最大。 625幀/ S @ 1周期和125幀/秒，5個周期@一個通道，16個電極
b）最大2500幀/ S，1個周期@一個通道，8個電極

硬件
輸入：非導通相鄰，0V至5V
注入頻率：10kHz
輸出：-10V（pp）至+ 10V（pp）
內存：8MB RAM
模擬輸入通道數和分辨率：40個不同通道或80個單端通道，16位分辨率
輸入范圍：±10V，±5V，±2，±1，±0.5V，±0.2V，±0.1V
采樣率：750kS / s多通道
模擬輸出通道數和分辨率：2,16位分辨率I / O端口數量：24個（8個有波形特性）
外部模擬IO盒：4通道輸入4-20 mA，3通道4-20 mA輸出。

設計
DAS板：NI USB 6255
振蕩器：80MHz（8個采樣周期）
激勵次數：1,2,4,5
測量模式：順序
靈敏度：3.2uV @增益x50
解調類型：相敏解調

轉換接口
串行數據接口：USB 2.0高速接口
相移補償：0.1o至180.0o

電源
輸入: 100 – 240 V a/c, 50/60 Hz 1.5A
消耗功率: DC 24 V 45W

軟件
GUI圖形用戶界面: LabVIEW
儀器控制：相鄰傳感協議測量
重建圖像：LBP顯示
數據分析：查看斷層掃描數據
輸出：輸出原始電壓測量和電壓曲線

控制計算機配置要求
GUI: Windows 7 (32 bit)
CPU: Pentium 4 or above
Memory: 16GB

上一個： P2+ 電阻層析成像......

下一個：無

上海市靜安區江場一路18號華瑞大廈604室

Tel: +86-21-6841 3991

Mobile: 13918893919

Fax: +86-21-6051 8633

E-mail:

xuefeng.xi@rnwtech.com

聯系方式